ZHCSMP9A November 2021 – January 2026 DRV8231A
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細說明
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據 (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.4.1 電橋控制
DRV8231A 輸出包含四個用于驅動高電流的 N 溝道 MOSFET。通過表 7-2 所列兩個邏輯輸入 IN1 和 IN2 控制這些輸出。
| IN1 | IN2 | OUT1 | OUT2 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 0 | 0 | 高阻態(tài) | 高阻態(tài) | 滑行；H 橋禁用至高阻態(tài)（經過 1 ms 之后進入睡眠模式） |
| 0 | 1 | L | H | 反向（電流 OUT2 → OUT1） |
| 1 | 0 | H | L | 正向（電流 OUT1 → OUT2） |
| 1 | 1 | L | L | 制動；低側慢速衰減 |
輸入可設置為靜態(tài)電壓以實現(xiàn) 100% 占空比驅動，也可設置為脈寬調制 (PWM) 以實現(xiàn)可變電機轉速。使用 PWM 時，驅動和制動之間通常能很好地切換。例如，要以最大 RPM 的 50% 正向驅動電機，在驅動周期內，IN1 = 1 且 IN2 = 0；而在其他時間內，IN1 = 1 且 IN2 = 1。此外，還提供能實現(xiàn)快速電流衰減 的滑行模式（IN1 = 0，IN2 = 0）。圖 7-1 顯示了電機電流如何流過 H 橋。可以在應用 VM 之前為輸入引腳供電。
圖 7-1 H 橋電流路徑當輸出從驅動高電平變?yōu)轵寗拥碗娖剑驈尿寗拥碗娖阶優(yōu)轵寗痈唠娖綍r，會自動插入死區(qū)時間以防止擊穿。tDEAD 時間是輸出為高阻時的中間時間。如果在 tDEAD 期間測量輸出引腳，則電壓取決于電流方向。如果電流離開管腳，則電壓為低于地電平的二極管壓降。如果電流進入引腳，則電壓為高于 VM 的二極管壓降。該二極管是高側或低側 FET 的體二極管。
傳播延遲時間 (tPD) 是輸入邊沿與輸出變化之間的時間。該時間考慮了輸入抗尖峰脈沖時間和其他內部邏輯傳播延遲。輸入抗尖峰脈沖時間可防止輸入引腳上的噪聲影響輸出狀態(tài)。附加的輸出壓擺延遲時序考慮了 FET 導通或關斷時間（tRISE 和 tFALL）。
下面的圖 7-2 顯示了電機驅動器輸入和輸出的時序。
圖 7-2 H 橋時序圖