ZHCSMP9A November 2021 – January 2026 DRV8231A
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 (VM) | ||||||
| IVMQ | VM 睡眠模式電流 | VVM = 24V，IN1 = IN2 = 0，TJ = 25°C | 1 | μA | ||
| IVM | VM 活動(dòng)模式電流 | VVM = 24V，IN1 = IN2 = 1 | 3 | 4 | mA | |
| tWAKE | 開通時(shí)間 | 控制信號(hào)進(jìn)入運(yùn)行模式 | 250 | μs | ||
| tSLEEP | 關(guān)斷時(shí)間 | 控制信號(hào)進(jìn)入睡眠模式 | 0.8 | 1.5 | ms | |
| 邏輯電平輸入 (INx) | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0.5 | V | |||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.5 | V | |||
| VHYS | 輸入遲滯 | 200 | mV | |||
| IIL | 輸入邏輯低電平電流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 輸入邏輯高電流 | VIN = 3.3V | 33 | 100 | μA | |
| RPD | 輸入下拉電阻 | 至 GND | 100 | kΩ | ||
| 驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTx） | ||||||
| RDS(on)_HS | 高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | VVM = 24V，I = 1A, fPWM = 25kHz | 300 | mΩ | ||
| RDS(on)_LS | 低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | VVM = 24V，I = 1A，fPWM = 25kHz | 300 | mΩ | ||
| VSD | 體二極管正向電壓 | IOUT = 1A | 0.8 | V | ||
| tRISE | 輸出上升時(shí)間 | VVM = 24V，OUTx 從 10% 上升至 90% | 220 | ns | ||
| tFALL | 輸出下降時(shí)間 | VVM = 24V，OUTx 從 90% 下降至 10% | 220 | ns | ||
| tPD | 輸入至輸出傳播延遲 | INx 至 OUTx | 0.7 | 1 | μs | |
| tDEAD | 輸出死區(qū)時(shí)間 | 200 | ns | |||
| 集成電流檢測(cè)和調(diào)節(jié)功能（IPROPI、VREF） | ||||||
| AIPROPI | 電流鏡比例因數(shù) | 1500 | μA/A | |||
| AERR | 電流鏡總誤差 | IOUT = 1A，VVM ≥ 6.5V，VIPROPI ≤ 3.0V | -6 | 6 | % | |
| tOFF | 電流調(diào)節(jié)關(guān)斷時(shí)間 | 25 | μs | |||
| tBLK | 電流調(diào)節(jié)消隱時(shí)間 | 1.4 | μs | |||
| tDELAY | 電流檢測(cè)延遲時(shí)間 | 1.1 | μs | |||
| tDEG | 電流調(diào)節(jié)抗尖峰脈沖時(shí)間 | 0.7 | μs | |||
| 保護(hù)電路 | ||||||
| VUVLO | 電源欠壓鎖定 (UVLO) | 電源上升 | 4.15 | 4.3 | 4.45 | V |
| 電源下降 | 4.05 | 4.2 | 4.35 | V | ||
| VUVLO_HYS | 電源 UVLO 遲滯 | 上升至下降閾值 | 100 | mV | ||
| tUVLO | 電源欠壓抗尖峰脈沖時(shí)間 | 10 | μs | |||
| IOCP | 過(guò)流保護(hù)跳變點(diǎn) | 3.7 | A | |||
| tOCP | 過(guò)流保護(hù)抗尖峰脈沖時(shí)間 | 1.5 | μs | |||
| tRETRY | 過(guò)流保護(hù)重試時(shí)間 | 3 | ms | |||
| TTSD | 熱關(guān)斷溫度 | 150 | 175 | °C | ||
| THYS | 熱關(guān)斷遲滯 | 40 | °C | |||