ZHCSMP9A November 2021 – January 2026 DRV8231A
PRODUCTION DATA
該器件的總功耗由三個主要部分組成：靜態(tài)電源電流耗散 (PVM)、功率 MOSFET 開關(guān)損耗 (PSW) 及功率 MOSFET RDS(on)（導(dǎo)通）損耗 (PRDS)。雖然其他因素可能會造成額外的功率損耗，但與這三個主要因素相比，其他因素通常并不重要。
可以根據(jù)標稱電機電源電壓（VVM）和 IVM 工作模式電流規(guī)格來計算 PVM。
可以根據(jù)標稱電機電源電壓 (VVM)、平均輸出電流 (IAVG)、開關(guān)頻率 (fPWM) 以及器件輸出上升 (tRISE) 和下降 (tFALL) 時間規(guī)格來計算 PSW。
可以根據(jù)器件 RDS(on) 和平均輸出電流 (IAVG) 來計算 PRDS。
RDS(ON) 與器件溫度密切相關(guān)。假設(shè)器件結(jié)溫為 85°C，根據(jù)標稱溫度數(shù)據(jù)，RDS(on) 可以增加約 1.5 倍。下面的計算顯示了此降額系數(shù)?；蛘?，節(jié) 6.6 顯示了繪制 RDS(on) 如何隨溫度變化的曲線。
根據(jù)上面的示例計算，下面的表達式計算了器件的總預(yù)期功率耗散。
可以使用 PTOT、器件環(huán)境溫度（TA）和封裝熱阻（RθJA）來計算驅(qū)動器的結(jié)溫。RθJA 的值在很大程度上依賴于 PCB 設(shè)計以及器件周圍的銅散熱量。節(jié) 8.3.2 更詳細地介紹了這種依賴性。
對于所有系統(tǒng)工作條件，器件結(jié)溫可以保持在絕對最大額定值以下。本部分中的計算提供了對結(jié)溫的合理估計。然而，其他基于系統(tǒng)工作過程中溫度測量的方法更加現(xiàn)實和可靠?？梢栽?a xmlns:opentopic="http://www.idiominc.com/opentopic" class="xref" href="GUID-0A6AD863-A6C4-42A6-96E8-03E693EBB683.html#GUID-0A6AD863-A6C4-42A6-96E8-03E693EBB683">節(jié) 8.3.2 和節(jié) 9.1.1 中找到有關(guān)電機驅(qū)動器電流額定值和功率耗散的其他信息。