ZHCS218G July 2011 – February 2025 DRV8804
PRODUCTION DATA
電流路徑從電源 VM 開(kāi)始，流經(jīng)電感繞組負(fù)載和低側(cè)灌電流 NMOS 功率 FET。一個(gè)灌電流 NMOS 功率 FET 中的功率耗散損耗如 方程式 1 所示。
經(jīng)測(cè)量，在 25°C 溫度條件下，DRV8804 器件在標(biāo)準(zhǔn) FR-4 PCB 上采用 DW 封裝時(shí)可支持 1.5A 單通道或 800mA 四通道，采用 PWP 封裝時(shí)可支持 2A 單通道或 1A 四通道，采用 DYZ 封裝時(shí)可支持 1.9A 單通道或 0.9A 四通道。最大 RMS 電流因 PCB 設(shè)計(jì)和環(huán)境溫度而異。