ZHCS276G September 2011 – November 2025 DRV8818
PRODUCTION DATA
使用推薦值為 0.1μF、額定電壓為 VM 的低 ESR 陶瓷旁路電容將 VMA 和 VMB 引腳旁路至 GND。將該電容器盡可能靠近 VMA 和 VMB 引腳放置，并通過較寬的引線或通過接地平面與器件 GND 引腳連接。
使用適當?shù)拇笕萘侩娙萜鲗?VMA 和 VMB 引腳旁路至 GND。該組件通常是電解電容器，最好放置在靠近 DRV8818 的位置。
必須在 CP1 和 CP2 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。TI 建議使用額定電壓為 VM 的 0.22μF 電容器。將此組件盡可能靠近引腳放置。
必須在 VM 和 VCP 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。TI 建議使用額定電壓為 16V 的 0.22μF 電容器。將此組件盡可能靠近引腳放置。
PowerPAD 集成電路封裝必須牢固地連接至與系統(tǒng) GND 連接的銅平面。為了獲得最佳性能，請使用大面積覆銅以利于 DRV8818A 散熱。有關電機驅(qū)動器的熱管理、布線技術(shù)、電容器放置和接地優(yōu)化的更多信息，請參閱應用手冊 — 電機驅(qū)動器電路板布局的最佳實踐。