ZHCS276G September 2011 – November 2025 DRV8818
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 | ||||||
| IVM | VM 工作電源電流 | VM = 35V，fPWM < 50kHz | 7 | 10 | mA | |
| IVCC | VCC 工作電源電流 | fPWM < 50kHz | 0.4 | 4 | mA | |
| IVMQ | VM 睡眠模式電源電流 | VM = 35V | 3 | 20 | μA | |
| IVCCQ | VCC 睡眠模式電源電流 | 0.5 | 20 | μA | ||
| VUVLO | VM 欠壓鎖定電壓 | VM 上升 | 6.7 | 7.5 | V | |
| VCC 欠壓鎖定電壓 | VCC 上升 | 2.75 | 2.95 | |||
| VREF 輸入/電流控制精度 | ||||||
| IREF | VREF 輸入電流 | VREF = 3.3V | -3 | 3 | μA | |
| ΔICHOP | 斬波電流精度 | VREF = 2.0V，70% 至 100% 電流 | -5% | 5% | ||
| VREF = 2.0V，20% 至 56% 電流 | -10% | 10% | ||||
| 邏輯電平輸入 | ||||||
| VIL | 輸入低電壓 | 0.3 × VCC | V | |||
| VIH | 輸入高電壓 | 0.7 × VCC | V | |||
| VHYS | 輸入遲滯 | 300 | mV | |||
| IIL | 輸入低電流 | VIN = 0.3 × VCC | -20 | 20 | μA | |
| IIH | 輸入高電流 | VIN = 0.3 × VCC | -20 | 20 | μA | |
| RPU | 上拉電阻 | ENABLEn、RESETn | 1 | MΩ | ||
| RPD | 下拉電阻 | DIR、STEP、SLEEPn、USM1、USM0、SRN | 1 | MΩ | ||
| HomeN 輸出 | ||||||
| VOL | 輸出低電壓 | IO = 200μA | 0.3 × VCC | V | ||
| VOH | 輸出高電壓 | IO = –200 μA | 0.7 × VCC | V | ||
| 衰減輸入 | ||||||
| VIL | 輸入低電平閾值電壓 | 快速衰減模式 | 0.21 × VCC | V | ||
| VIH | 輸入高電平閾值電壓 | 慢速衰減模式 | 0.6 × VCC | V | ||
| H 橋 FET | ||||||
| Rds(on) | HS FET 導通電阻 | VM = 24V，IO = 2.5A，TJ = 25°C | 0.22 | 0.30 | Ω | |
| Rds(on) | LS FET 導通電阻 | VM = 24V，IO = 2.5A，TJ = 25°C | 0.15 | 0.24 | Ω | |
| ILEAK | 禁用模式下輸出到接地的漏電流 | H 橋處于高阻態(tài)，VVM = 35V | 4400 | μA | ||
| 保護電路 | ||||||
| TTSD | 熱關(guān)斷溫度 | 裸片溫度 | 150 | 160 | 180 | °C |
| IOCP | 過流保護等級 | 3.5 | A | |||
| tOCP | OCP 抗尖峰脈沖時間 | 1.5 | μs | |||
| tRET | OCP 重試時間 | 800 | μs | |||