ZHCSZ97 December   2025 MC111

PRODUCTION DATA  

1.   1
2. 1 特性
3. 2 應(yīng)用
4. 3 說(shuō)明
5. 4 引腳配置和功能
6. 5 規(guī)格
   1. 5.1 絕對(duì)最大額定值
   2. 5.2 ESD 等級(jí) - 通信
   3. 5.3 建議運(yùn)行條件
   4. 5.4 熱特性信息
   5. 5.5 電氣特性
   6. 5.6 I2C 時(shí)序要求
   7. 5.7 時(shí)序圖
7. 6 詳細(xì)說(shuō)明
   1. 6.1 概述
   2. 6.2 功能方框圖
   3. 6.3 特性說(shuō)明
      1. 6.3.1 電機(jī)控制
         1. 6.3.1.1 占空比輸入
         2. 6.3.1.2 占空比曲線
         3. 6.3.1.3 電機(jī)啟動(dòng)、速度變化和停止
         4. 6.3.1.4 開(kāi)環(huán)（占空比）控制
         5. 6.3.1.5 閉環(huán)（速度）控制
         6. 6.3.1.6 換相
            1. 6.3.1.6.1 霍爾傳感器
               1. 6.3.1.6.1.1 場(chǎng)方向定義
               2. 6.3.1.6.1.2 內(nèi)部霍爾鎖存?zhèn)鞲衅鬏敵?/a>
            2. 6.3.1.6.2 霍爾偏移
            3. 6.3.1.6.3 方波換相
            4. 6.3.1.6.4 軟換向
         7. 6.3.1.7 PWM 調(diào)制模式
      2. 6.3.2 保護(hù)功能
         1. 6.3.2.1 鎖定轉(zhuǎn)子保護(hù)
         2. 6.3.2.2 電流限值
         3. 6.3.2.3 過(guò)流保護(hù) (OCP)
         4. 6.3.2.4 VM 欠壓鎖定 (UVLO)
         5. 6.3.2.5 VM 過(guò)壓保護(hù) (OVP)
         6. 6.3.2.6 熱關(guān)斷 (TSD)
         7. 6.3.2.7 集成電源 (VM) 鉗位
   4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 工作模式
      2. 6.4.2 睡眠和待機(jī)模式
      3. 6.4.3 故障模式
      4. 6.4.4 測(cè)試模式和一次性可編程內(nèi)存
   5. 6.5 編程
      1. 6.5.1 I2C 通信
         1. 6.5.1.1 I2C 讀取
         2. 6.5.1.2 I2C 寫入
8. 7 寄存器映射
   1. 7.1 USR_OTP 寄存器
   2. 7.2 USR_TM 寄存器
9. 8 應(yīng)用和實(shí)施
   1. 8.1 應(yīng)用信息
      1. 8.1.1 外部組件
   2. 8.2 典型應(yīng)用
      1. 8.2.1 設(shè)計(jì)要求
      2. 8.2.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程
      3. 8.2.3 應(yīng)用曲線
   3. 8.3 電源相關(guān)建議
      1. 8.3.1 大容量電容
   4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
10. 9 器件和文檔支持
    1. 9.1 器件支持
    2. 9.2 文檔支持
       1. 9.2.1 相關(guān)文檔
    3. 9.3 接收文檔更新通知
    4. 9.4 支持資源
    5. 9.5 商標(biāo)
    6. 9.6 靜電放電警告
    7. 9.7 術(shù)語(yǔ)表
11. 10修訂歷史記錄