ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
如果內(nèi)核溫度超過(guò)熱關(guān)斷限值 (TTSD),則會(huì)禁用 FET、關(guān)斷電荷泵并將 nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平。此外,狀態(tài)寄存器中的 DRIVER_FAULT、OT 和 TSD 位設(shè)置為 1b。當(dāng)內(nèi)核溫度降至低于熱關(guān)斷限制的遲滯點(diǎn) (TTSD - TTSD_HYS) 時(shí),將恢復(fù)正常運(yùn)行(驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行且釋放 nFAULT 引腳)。TSD 位保持鎖存為高電平,指示發(fā)生了熱事件,直到通過(guò) CLR_FLT 位發(fā)出清除故障命令。無(wú)法禁用此保護(hù)功能。