該器件針對 MOSFET 的任何跨導(dǎo)提供全面保護(hù)。通過插入死區(qū)時間 (tdead) 可確保精密控制高側(cè)和低側(cè) MOSFET,從而避免發(fā)生任何擊穿事件。實(shí)現(xiàn)方法是通過檢測高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并確保高側(cè) MOSFET 的 VGS 已達(dá)到關(guān)斷電平以下,然后再將同一半橋的低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通,如圖 6-11 和圖 6-12 所示,反之亦然。