ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
為輸出級 MOSFET 提供可調柵極驅動電流控制,以實現(xiàn)可配置的壓擺率,從而降低 EMI。MOSFET VDS 壓擺率是優(yōu)化輻射發(fā)射、二極管恢復尖峰的總能量和持續(xù)時間以及與 PCB 寄生元件相關的開關電壓瞬態(tài)的關鍵因素。此壓擺率主要由內(nèi)部 MOSFET 柵極電流的控制決定,如圖 6-9 所示。
圖 6-9 壓擺率電路實現(xiàn)每個半橋的壓擺率可通過 SLEW_RATE 設置進行調節(jié)。壓擺率可配置為 25V/μs、50V/μs、125V/μs 或 200V/μs。壓擺率根據(jù) OUTx 引腳電壓的上升時間和下降時間計算得出,如圖 6-10 所示。
圖 6-10 壓擺率時序