ZHCSZA7 December 2025 MCT8376Z-Q1
PRODUCTION DATA
MCT8376Z-Q1 器件是一款集成式 400mΩ(高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的導(dǎo)通狀態(tài)電阻之和)驅(qū)動(dòng)器,適用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。該器件通過(guò)集成三個(gè)半橋 MOSFET、柵極驅(qū)動(dòng)器、電荷泵、以及用于外部負(fù)載的線性穩(wěn)壓器,降低了系統(tǒng)元件數(shù)量、成本和復(fù)雜性。標(biāo)準(zhǔn)的串行外設(shè)接口 (SPI) 提供了一種簡(jiǎn)單的方法,可通過(guò)外部控制器配置各種器件設(shè)置和讀取故障診斷信息?;蛘撸布涌?(H/W) 選項(xiàng)允許通過(guò)固定外部電阻器來(lái)配置常用的設(shè)置。
該架構(gòu)使用內(nèi)部狀態(tài)機(jī)來(lái)防止發(fā)生短路事件,并防止內(nèi)部功率 MOSFET 發(fā)生 dv/dt 寄生導(dǎo)通。
MCT8376Z-Q1 器件集成了三相含傳感器梯形換向,可使用模擬或數(shù)字霍爾傳感器進(jìn)行位置檢測(cè)。
除了高度的器件集成之外,MCT8376Z-Q1 器件還提供廣泛的集成保護(hù)功能。這些功能包括電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)、過(guò)流保護(hù) (OCP)、AVDD 和 GVDD 欠壓鎖定(AVDD_UV、GVDD_UV)和過(guò)熱關(guān)斷(OTW 和 OTSD)。故障事件由 nFAULT 引腳指示,可在 SPI 器件版本的 SPI 寄存器中獲得詳細(xì)信息。
MCT8376Z-Q1 器件采用 VQFN 表面貼裝封裝。VQFN 封裝尺寸為 6mm × 5mm。