ZHCSZA7 December 2025 MCT8376Z-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 輸出級
- 7.3.2 PWM 控制模式（1x PWM 模式）
- 7.3.3 器件接口模式
- 7.3.4 AVDD 和 GVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.5 電荷泵
- 7.3.6 壓擺率控制
- 7.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時(shí)間）
- 7.3.8 傳播延遲
- 7.3.9 引腳圖
- 7.3.10 電流檢測放大器輸出 (SO)
- 7.3.11 主動(dòng)消磁
- 7.3.12 逐周期電流限制
- 7.3.13 霍爾比較器（模擬霍爾輸入）
- 7.3.14 超前角
- 7.3.15 FGOUT 信號
- 7.3.16 保護(hù)功能
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 SPI 通信
- 8 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- NLG|28
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- NLG|28
訂購信息
7.3.11 主動(dòng)消磁
MCT8376Z-Q1 系列器件具有智能整流特性（主動(dòng)消磁），可通過減少二極管導(dǎo)通損耗來降低器件中的功率損耗。啟用此特性后，只要該器件檢測到二極管導(dǎo)通，它就會(huì)自動(dòng)導(dǎo)通相應(yīng)的 MOSFET。對于硬件型號，可以使用 MODE 引腳配置此特性。在 SPI 器件型號中，這可以通過 EN_ASR 和 EN_AAR 位進(jìn)行配置。智能整流分為自動(dòng)同步整流 (ASR) 模式和自動(dòng)異步整流 (AAR) 模式兩類，后續(xù)幾節(jié)對此進(jìn)行了介紹。
注： 在 SPI 器件型號中，EN_ASR 和 EN_AAR 這兩個(gè)位都需要設(shè)置為 1 才能啟用主動(dòng)消磁。
MCT8376Z-Q1 器件包括一個(gè)高側(cè) (AD_HS) 和低側(cè) (AD_LS) 比較器，用于檢測每個(gè)半橋上器件中的負(fù)電流。AD_HS 比較器將檢測 FET 輸出與電源電壓 (VM) 閾值進(jìn)行比較，而 AD_LS 比較器則與接地 (0V) 閾值進(jìn)行比較。根據(jù)從 OUTx 流向 VM 或從 PGND 流向 OUTx 的電流，AD_HS 或 AD_LS 比較器跳變。該比較器為主動(dòng)消磁特性的運(yùn)行提供基準(zhǔn)點(diǎn)。
圖 7-23 主動(dòng)消磁運(yùn)行表 7-6 顯示了 MCT8376Z-Q1 器件中 ASR 和 AAR 模式的配置。
表 7-6 PWM_MODE 配置
| MODE 類型 | MODE 引腳（硬件型號） | ASR 和 AAR 配置 | 霍爾配置 | 調(diào)制 | ASR 和 AAR 模式 |
|---|---|---|---|---|---|
| 模式 1 | 連接到 AGND | EN_ASR = 0，EN_AAR = 0 | 模擬霍爾輸入 | 異步 | ASR 和 AAR 已禁用 |
| 模式 2 | 通過 RMODE1 連接到 AGND | EN_ASR = 0，EN_AAR = 0 | 數(shù)字霍爾輸入 | 異步 | ASR 和 AAR 已禁用 |
| 模式 3 | 通過 RMODE2 連接到 AGND | EN_ASR = 0，EN_AAR = 0 | 模擬霍爾輸入 | 同步 | ASR 和 AAR 已禁用 |
| 模式 4 | 高阻態(tài) | EN_ASR = 0，EN_AAR = 0 | 數(shù)字霍爾輸入 | 同步 | ASR 和 AAR 已禁用 |
| 模式 5 | 通過 RMODE2 連接到 GVDD | EN_ASR = 1，EN_AAR = 1 | 模擬霍爾輸入 | 同步 | ASR 和 AAR 已啟用 |
| 模式 6 | 通過 RMODE1 連接到 GVDD | EN_ASR = 1，EN_AAR = 1 | 數(shù)字霍爾輸入 | 同步 | ASR 和 AAR 已啟用 |
| 模式 7 | 連接到 GVDD |
注： 在發(fā)生 OCP 事件和電機(jī)鎖定事件時(shí)禁用主動(dòng)消磁。