ZHCSZA7 December 2025 MCT8376Z-Q1
PRODUCTION DATA
MCT8376Z-Q1 器件包含一個(gè)以三相橋配置連接的集成式 400mΩ(高側(cè)和低側(cè) FET 的導(dǎo)通狀態(tài)電阻之和)NMOS FET。倍增電荷泵可在寬工作電壓范圍內(nèi)為高側(cè) NMOS FET 提供適合的柵極偏置電壓,此外還提供 100% 占空比支持。內(nèi)部線性穩(wěn)壓器為低側(cè) MOSFET 提供柵極偏置電壓。