ZHCSZA7 December 2025 MCT8376Z-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 輸出級
- 7.3.2 PWM 控制模式（1x PWM 模式）
- 7.3.3 器件接口模式
- 7.3.4 AVDD 和 GVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.5 電荷泵
- 7.3.6 壓擺率控制
- 7.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時間）
- 7.3.8 傳播延遲
- 7.3.9 引腳圖
- 7.3.10 電流檢測放大器輸出 (SO)
- 7.3.11 主動消磁
- 7.3.12 逐周期電流限制
- 7.3.13 霍爾比較器（模擬霍爾輸入）
- 7.3.14 超前角
- 7.3.15 FGOUT 信號
- 7.3.16 保護(hù)功能
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 SPI 通信
- 8 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- NLG|28
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- NLG|28
訂購信息
7.3.10 電流檢測放大器輸出 (SO)
MCT8376Z-Q1 上的 SO 引腳輸出的模擬電壓與低側(cè) FET 中流動的電流和增益設(shè)置 (GCSA) 的乘積成比例。增益設(shè)置可在四個不同級別之間調(diào)節(jié)，可通過 GAIN 引腳（在硬件器件型號中）或 GAIN 位（在 SPI 器件型號中）設(shè)置這些級別。
圖 7-22 顯示了電流檢測放大器的內(nèi)部架構(gòu)。電流檢測是通過 MCT8376Z-Q1 器件的每個低側(cè) FET 上的檢測 FET 實施的。該電流信息饋送到內(nèi)部 I/V 轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器根據(jù) AVDD 電壓和增益設(shè)置在 SO 引腳上生成 CSA 輸出電壓。CSA 輸出電壓可按以下公式計算：
方程式 4.
圖 7-22 集成電流檢測放大器CSA 的增益可以通過硬件器件型號中的 GAIN_SLEW_tLOCK 引腳（如表 7-6 所示）或使用 SPI 器件型號中的 SLEW 位進(jìn)行調(diào)整。在 SPI 器件中，每個半橋都可以選擇 1V/ns、0.5V/ns、0.25V/ns 或 0.05V/ns 的壓擺率設(shè)置。在硬件器件中，每個半橋都可以選擇 1.1V/ns 或 0.25V/ns 的壓擺率設(shè)置。壓擺率根據(jù) OUTx 引腳電壓的上升時間和下降時間計算得出，如圖 7-13 所示。
表 7-5 MCT8376ZH-Q1 中的 CSA 增益、壓擺率和鎖定檢測時間設(shè)置
配置 | GAIN_SLEW_tLOCK 引腳（硬件型號） | 增益 | SLEW | LOCK_DET_TIME |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 連接到 AGND | 0.4V/A | 1.1V/ns | 500ms |
| 2 | 通過 RMODE1 連接到 AGND | 0.4V/A | 1.1V/ns | 5000ms |
| 3 | 通過 RMODE2 連接到 AGND | 0.4V/A | 0.25V/ns | 500ms |
| 4 | 高阻態(tài) | 0.4V/A | 0.25V/ns | 5000ms |
| 5 | 通過 RMODE2 連接到 GVDD | 2.5V/A | 1.1V/ns | 500ms |
| 6 | 通過 RMODE1 連接到 GVDD | 2.5V/A | 1.1V/ns | 5000ms |
| 7 | 連接到 GVDD | 2.5V/A | 0.25V/ns | 500ms |
注： 電流檢測放大器在輸出端僅支持低容性負(fù)載。TI 建議在電流檢測放大器的輸出端連接由電阻器和電容器組成的低通濾波器。
注： 電流檢測放大器支持動態(tài)增益變化。電流檢測放大器支持動態(tài)增益變化。在硬件型號中，增益會通過引腳檢測每 1ms 進(jìn)行一次采樣，而任何增益變化均通過 SPI 寫入實現(xiàn)（在 SPI 型號中）。收到增益更改命令后，新的增益將在任何 PWM 信號的下個上升沿應(yīng)用。