ZHCSW48A July 2025 – December 2025 TPS2HC08-Q1
PRODUCTION DATA
為了保護(hù) MOSFET 在高 VDS 電壓下免受過流影響,器件提供了電流限制折返機(jī)制。如果 ILIM 設(shè)置為大于額定負(fù)載電流值,且 VBB 電壓大于 VDET1,則電流限制折返至電流限制設(shè)定值的 1/2。如果 VBB 電壓高于 VDET2,則電流限值將折返至電流限制設(shè)定值的 1/3。圖 6-32 展示了整個(gè) VBB 電壓范圍內(nèi)的器件電流限制折返行為。