ZHCSW48A July 2025 – December 2025 TPS2HC08-Q1
PRODUCTION DATA
當(dāng)設(shè)計(jì)同一通道上同時(shí)存在容性和直流負(fù)載的系統(tǒng)時(shí)，必須考慮其綜合熱效應(yīng)：
熱預(yù)算消耗：任何與容性負(fù)載并聯(lián)的直流負(fù)載都會(huì)消耗器件部分熱預(yù)算。直流負(fù)載的功率耗散 (I2R) 會(huì)產(chǎn)生熱量，從而提高功率 FET 的基線溫度。
容性充電能力降低：當(dāng) FET 到直流負(fù)載發(fā)生功率耗散時(shí)，工作溫度和熱關(guān)斷閾值之間的閾值會(huì)減小。這有效地降低了可安全充電且不觸發(fā)熱關(guān)斷的最大電容值。
加速熱關(guān)斷關(guān)機(jī)：直流負(fù)載電流和電容充電電流的綜合熱效應(yīng)會(huì)加速熱關(guān)斷的開(kāi)始。這可能導(dǎo)致器件在電容充電期間更早、更頻繁地進(jìn)入重試機(jī)制。
設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：當(dāng)必須同時(shí)支持兩種負(fù)載類(lèi)型時(shí)：
選擇更保守（更高）的 RLIM 值以降低電流限制。
提供足夠的 PCB 覆銅面積以改善散熱。
對(duì)于關(guān)鍵應(yīng)用，考慮為直流負(fù)載和容性負(fù)載使用獨(dú)立的通道。
有關(guān)驅(qū)動(dòng)感性或容性負(fù)載的更多信息，請(qǐng)參閱 TI 的《如何利用智能高側(cè)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電阻、電感、電容和照明負(fù)載》應(yīng)用報(bào)告。