ZHCSW48A July 2025 – December 2025 TPS2HC08-Q1
PRODUCTION DATA
為了獲得良好的熱性能，請將 VBB 焊盤連接到大面積覆銅。在頂部 PCB 層，覆銅可能超出封裝尺寸，如下面的布局示例所示。除此之外，建議在一個或多個內(nèi)部 PCB 層和/或底層上布置一個 VBB 平面。過孔必須將這些平面連接到頂部 VBB 覆銅。將 VOUT1 和 VOUT2 焊盤連接到電路板上的大面積覆銅還有助于實現(xiàn)更好的熱性能，因為熱量可以通過內(nèi)部銅柱傳遞到電路板上的大面積覆銅。
TI 建議將連接到微控制器的 IO 信號布線到過孔，然后穿過內(nèi)部 PCB 層。
如果在設(shè)計中使用 CIC 電容器，則必須將其盡可能靠近器件的 VBB 和 GND 引腳。如果使用接地網(wǎng)絡(luò)進行電池反向保護，則 C IC 電容器必須從 VBB 網(wǎng)絡(luò)連接到 IC_GND 網(wǎng)絡(luò)。CVBB 電容器必須靠近 VBB 引腳放置，并連接到系統(tǒng)接地端以獲得出色的性能。
RLIM 元件必須放置在靠近器件的 ILIM 和 GND 引腳的位置。如果使用接地網(wǎng)絡(luò)進行電池反向保護，則 RLIM 必須從 ILIM 引腳連接到 IC_GND 網(wǎng)絡(luò)，以獲得預期的電流限制性能。
FLT 和 SNS 引腳布線必須相隔很遠（正交或在不同的層中），以避免兩個信號之間出現(xiàn)任何耦合。
TPS1HC03-Q1 器件的封裝與該系列中的所有其他器件兼容，可用于通用板設(shè)計。