ZHCSY90 May 2025 TPS7H6101-SEP
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盡管增強模式 GaN FET 不像硅 FET 那樣包含體二極管，但由于采用對稱器件結(jié)構(gòu)，這些器件能夠反向?qū)?。在反向?qū)ㄆ陂g，集成式 GaN FET 的源漏電壓通常為 2.1V，高于傳統(tǒng)硅 FET 中的源漏電壓。因此，驅(qū)動器的開關(guān)節(jié)點引腳（SW_HS 和 SW_LS 在外部連接在一起，統(tǒng)稱為 SW）存在負(fù)電壓。由于 BOOT 始終以 SW 為基準(zhǔn)，所以這種負(fù)瞬變可能會導(dǎo)致自舉電壓過大。此外，印刷電路板布局布線和器件寄生電感可以進(jìn)一步加強負(fù)電壓瞬變。建議的自舉電路實現(xiàn)方式有助于降低 BOOT 到 SW 負(fù)電壓過大的可能性。在高于絕對最大值 16V 的自舉電壓下運行可能會對柵極驅(qū)動器產(chǎn)生不利影響，因此必須注意確保不超過 BOOT 至 SW 的最大電壓差。通常，BOOT 瞬間追隨 SW，以免 BOOT 至 SW 電壓顯著過沖。但是，為了進(jìn)一步確保 Boot 引腳上不存在過大的電壓，可以在 BOOT 和 SW 之間使用外部齊納二極管，從而在運行期間將自舉電壓鉗位到可接受的值。