ZHCSY90 May 2025 TPS7H6101-SEP
ADVANCE INFORMATION
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
在 PWM 模式下運(yùn)行時(shí)，DLH 和 DHL 上都需要連接到 GND 的電阻器來設(shè)定死區(qū)時(shí)間。DHL 電阻器設(shè)定高側(cè)柵極 (VHSG) 關(guān)斷到低側(cè)柵極 (VLSG) 輸出導(dǎo)通之間的死區(qū)時(shí)間。同理，DLH 上的電阻器設(shè)定低側(cè)柵極 (VHSG) 關(guān)斷到高側(cè) (VLSG) 導(dǎo)通之間的死區(qū)時(shí)間。該電阻器可用于在最小約 0.8ns 到最高 100ns 的范圍內(nèi)設(shè)定死區(qū)時(shí)間。兩個(gè)引腳上必須安裝該電阻器，才能在這種模式下運(yùn)行器件。請(qǐng)參閱 圖 7-7 圖表。
選擇的死區(qū)時(shí)間值至關(guān)重要，因?yàn)檫@些值會(huì)直接影響這些期間轉(zhuǎn)換器中發(fā)生的損耗。精心選擇死區(qū)時(shí)間，以避免高側(cè) FET 和低側(cè) FET 之間的跨導(dǎo)，同時(shí)還能更大限度地縮短 GaN FET 的第三象限導(dǎo)通時(shí)間。選擇 TDLH 和 TDHL 以盡可能縮短第三象限時(shí)間并避免跨導(dǎo)事件。
方程式 8 和 方程式 9 可用于通過下面選擇的最接近的 E192 電阻值獲得典型死區(qū)時(shí)間電阻值。
RDHL：
為 RHL 選擇 57.6kΩ 的值。
RDLH：
RLH 使用 35.7kΩ 的電阻器值。