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ZHCSY90 May 2025 TPS7H6101-SEP

ADVANCE INFORMATION

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

NPR|64

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

zhcsy90_oa

6.6 開(kāi)關(guān)特性

環(huán)境溫度工作范圍 T_A = -55°C 至 125°C，VIN = 10V 至 14V，HVIN = V_{SW_LS} = 5V，V_{SW_HS} = GND = 0V，I_DS(HS) = I_DS(LS) = 1mA（除非另有說(shuō)明）。

參數(shù)		測(cè)試條件		典型值	最大值	單位
柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)序
t_p(off)(ls)	低側(cè)關(guān)斷傳播延遲⁽¹⁾	從 V_{PWM_LI} = V_IR 至 V_LSG = 2.5V I_D = 400mA	模式 = PWM	41	51	ns
t_p(off)(ls)	低側(cè)關(guān)斷傳播延遲⁽¹⁾	從 V_{PWM_LI} = V_IF 至 V_LSG = 2.5V I_D = 400mA	模式 = IIM	33	42	ns
t_p(on)(ls)	低側(cè)導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)傳播延遲⁽¹⁾	從 V_{PWM_LI} = V_IR 至 V_LSG = 2.5V I_D = 400mA	模式 = IIM	33	42	ns
t_p(off)(hs)	高側(cè)關(guān)斷傳播延遲⁽¹⁾	從 V_{PWM_LI} = V_IF 至 V_HSG = 2.5V I_D = 400mA	模式 = PWM	35	50	ns
t_p(off)(hs)	高側(cè)關(guān)斷傳播延遲⁽¹⁾	從 V_{EN_HI} = V_IF 至 V_HSG = 2.5V I_D = 400mA	模式 = IIM	35	45	ns
t_p(on)(hs)	高側(cè)導(dǎo)通傳播延遲⁽¹⁾	從 V_{EN_HI} = V_IR 至 V_HSG = 2.5V I_D = 400mA	模式 = IIM	35	50	ns
t_d(on)(ls)	低側(cè)導(dǎo)通延遲⁽¹⁾	從 V_{PWM_LI} = V_IF 至 V_DS(ls) = 4V I_D = 400mA	模式 = PWM	45	60	ns
t_d(on)(ls)	低側(cè)導(dǎo)通延遲⁽¹⁾	從 V_{PWM_LI} = V_IR 至 V_DS(ls) = 4V I_D = 400mA	模式 = IIM	45	60	ns
t_d(off)(ls)	低側(cè)關(guān)斷延遲⁽¹⁾	從 V_{PWM_LI} = V_IR 至 V_DS(ls) = 1V I_D = 400mA	模式 = PWM	51	79	ns
t_d(off)(ls)	低側(cè)關(guān)斷延遲⁽¹⁾	從 V_{PWM_LI} = V_IF 至 V_DS(ls) = 1V I_D = 400mA	模式 = IIM	45	60	ns
t_d(on)(hs)	高側(cè)導(dǎo)通延遲⁽¹⁾	從 V_{PWM_LI} = V_IR 至 V_DS(hs) = 1V I_D = 400mA	模式 = PWM	39	65	ns
t_d(on)(hs)	高側(cè)導(dǎo)通延遲⁽¹⁾	從 V_{EN_HI} = V_IR 至 V_DS(hs) = 1V I_D = 400mA	模式 = IIM	39	65	ns
t_d(off)(hs)	高側(cè)關(guān)斷延遲⁽¹⁾	從 V_{PWM_LI} = V_IF 至 V_DS(hs) = 4V I_D = 400mA	模式 = PWM	45	65	ns
t_d(off)(hs)	高側(cè)關(guān)斷延遲⁽¹⁾	從 V_{EN_HI} = V_IF 至 V_DS(hs) = 4V I_D = 400mA	模式 = IIM	45	65	ns
t_MON	延遲匹配低側(cè)導(dǎo)通和高側(cè)關(guān)斷⁽²⁾	模式 = IIM		5	8	ns
t_MOFF	延遲匹配低側(cè)關(guān)斷和高側(cè)導(dǎo)通⁽²⁾	MODE = IIM		5	8	ns
t_PW(IIM)	最小輸入脈沖寬度（導(dǎo)通）	MODE = IIM		5	8	ns
t_PW(IIM)(OFF)	最小輸入脈沖寬度（關(guān)斷）	MODE = IIM		12	16	ns
t_PW(PWM)	目標(biāo)死區(qū)時(shí)間所需的最小輸入脈沖寬度	模式 = PWM，RHL = 57.6k?，RLH = 35.7k?，DT 降低 ≤ 0.5ns		12		ns
t_PW(PWM)	目標(biāo)死區(qū)時(shí)間所需的最小輸入脈沖寬度	模式 = PWM，RHL = 57.6k?，RLH = 35.7k?，DT 降低 ≤ 3ns		30		ns
GAN FET
C_OSS(ls)	輸出電容 - 低側(cè)	f = 1MHz V_{SW_LS}= 100V V_{PWM_LI}= 0V		250		pF
C_OSS(hs)	輸出電容 - 高側(cè)	f = 1MHz V_HVIN= 100V V_{EN_HI}= 0V		250		pF

(1) 有關(guān)測(cè)量配置和波形圖的信息，請(qǐng)參閱時(shí)序測(cè)量部分。

(2) 此參數(shù)的規(guī)格限值表示為絕對(duì)值。