ZHCSY90 May 2025 TPS7H6101-SEP
ADVANCE INFORMATION
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
驅(qū)動(dòng)器所需的外部自舉電容器連接在 BOOT 和 SW_LS 之間。自舉電容器電壓用作高側(cè)線性穩(wěn)壓器 BP5H 的輸入，為高側(cè) GaN FET 提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓。選擇自舉電容器的一般原則是，指定的電容至少比所驅(qū)動(dòng)的高側(cè) GaN FET 柵極電容大 10 倍：
選擇 1μF 的 CBOOT 電容器值可滿足 方程式 1。
其中：
下面顯示了使用 方程式 3 更具體地計(jì)算出所需的最小自舉電容：
其中：
?VBOOT 是為了正常運(yùn)行 BOOT 上允許的最大壓降：
其中：
對(duì)于不使用內(nèi)部自舉開關(guān)的應(yīng)用，在計(jì)算中可省略 RSW 項(xiàng)。建議選擇具有低 ESR 和 ESL 的自舉電容器。包括自舉電容器的額定電壓，在最大預(yù)期自舉電壓之上有足夠的裕量。