ZHCSTR8A June 2025 – December 2025 TPSI2260-Q1
PRODUCTION DATA
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TPSI2260-Q1 是一款隔離式固態(tài)繼電器,專為高電壓汽車和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。TPSI2260-Q1 與 TI 具有高可靠性的增強(qiáng)電容隔離技術(shù)和內(nèi)部背對(duì)背 MOSFET 整合在一起,形成了一款完全集成式解決方案,無(wú)需次級(jí)側(cè)電源。TPSI2260-Q1 可提高系統(tǒng)可靠性,因?yàn)?TI 的電容隔離技術(shù)不會(huì)受到機(jī)械繼電器和光繼電器元件中常見(jiàn)的機(jī)械損耗或光退化故障模式的影響。
該器件的初級(jí)側(cè)僅由 5mA 的輸入電流供電,并集成了一個(gè)失效防護(hù) EN 引腳,可防止對(duì) VDD 電源反向供電的任何可能性。在大多數(shù)應(yīng)用中,器件的 VDD 引腳應(yīng)連接到 4.5V 至 20V 的系統(tǒng)電源,并且器件的 EN 引腳應(yīng)由邏輯高電平介于 2.1V 至 20V 之間的 GPIO 輸出驅(qū)動(dòng)。在其他應(yīng)用中,VDD 和 EN 引腳可以直接全由系統(tǒng)電源或 GPIO 輸出驅(qū)動(dòng)。
次級(jí)側(cè)包含背對(duì)背 MOSFET,從 S1 至 S2 的關(guān)斷電壓為 ±600V。TPSI2260-Q1 MOSFET 的雪崩穩(wěn)健性和熱敏感封裝設(shè)計(jì)使其能夠可靠地支持系統(tǒng)級(jí)電介質(zhì)耐壓測(cè)試 (HiPot),并且無(wú)需任何外部元件即可承受高達(dá) 1mA(TPSI2260T-Q1 為 3mA)的直流快速充電器浪涌電流。