ZHCSTR8A June 2025 – December 2025 TPSI2260-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
組件放置：
用于初級側(cè) VDD 電源的去耦電容器必須盡可能靠近器件引腳放置。
EMI 注意事項：
TPSI2260-Q1 采用具有 2MHz 功率傳輸頻率的展頻調(diào)制 (SSM) 來提高其 EMI 能力。在大多數(shù)應(yīng)用中，無需考慮額外的系統(tǒng)設(shè)計注意事項即可滿足 CISPR 25 5 類標(biāo)準(zhǔn)性能要求。
如果次級側(cè)需要 CISPR25 5 類，建議使用分裂限流電阻器配置以獲得最佳 EMI 性能，如 TPSI2260-Q1 布局示例所示。
ESD 注意事項：
無需其他元件即可通過 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)的最高 6kV 接觸測試。
如果需要大于 6kV 的接觸沖擊，分阻配置會將 ESD 性能提高到大于 8kV 的接觸?；蛘?，可以在初級側(cè)和次級側(cè)之間添加 ESD 電容器，以提高非分裂電阻架構(gòu)中的 ESD 性能。
高電壓注意事項：
應(yīng)根據(jù)系統(tǒng)要求，保持 TPSI2260-Q1 從初級側(cè)到次級側(cè)的爬電距離和從 S1 引腳到 S2 引腳的爬電距離。系統(tǒng)設(shè)計人員很可能會避免在封裝主體下方或 S1、SM 和 S2 引腳之間進行任何頂層 PCB 布線。