ZHCSTR8A June 2025 – December 2025 TPSI2260-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
當(dāng) S1 和 S2引腳之間的電壓超過 +/-600V 時(shí),次級(jí)側(cè) MOSFET 可進(jìn)入雪崩運(yùn)行模式。MOSFET 和 11 DWQ 封裝經(jīng)過設(shè)計(jì)和認(rèn)證,在這種運(yùn)行模式下具有穩(wěn)健性,可支持電介質(zhì)耐受測(cè)試 (HiPot)。為幫助確保系統(tǒng)在此工作模式下的熱性能,請(qǐng)參閱 PCB 布局指南。