TPSI2260-Q1 是一款隔離式固態(tài)繼電器，專為高電壓汽車和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。TI 具有高可靠性的電容隔離技術(shù)和背對背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無需次級側(cè)電源。

正如功能方框圖 所示，初級側(cè)包含一個驅(qū)動器，為次級側(cè)的每個內(nèi)部 MOSFET 提供電力和使能邏輯信息。板載振蕩器控制驅(qū)動器工作的頻率，展頻調(diào)制 (SSM) 控制器改變驅(qū)動器頻率以提高系統(tǒng) EMI 性能。當(dāng) VDD 電壓超過 UVLO 閾值且使能引腳變?yōu)楦唠娖?/span>時，振蕩器啟動并且驅(qū)動程序跨隔離柵輸送電力和邏輯高電平。當(dāng)使能引腳變?yōu)榈碗娖剑蛘?VDD 電壓降至 UVLO 閾值以下時，驅(qū)動器會被禁用。閑置時會向次級側(cè)發(fā)送邏輯低電平，并且 MOSFET 會被禁用。

次級側(cè)的一對 MOSFET 都有專用的全橋整流器來形成本地電源和接收器。接收器通過電容式隔離柵確定從初級側(cè)傳送的邏輯狀態(tài)，并使用壓擺率受控的驅(qū)動器驅(qū)動 MOSFET 的柵極。接收器對跨隔離柵接收的信號進行信號調(diào)節(jié)，以便過濾共模干擾，并確保根據(jù)初級側(cè)驅(qū)動器和系統(tǒng)發(fā)送的邏輯來控制 MOSFET。

TPSI2260-Q1 不僅具有雪崩性能穩(wěn)健的 MOSFET，而且其采用的 11 引腳 DWQ 封裝上的加寬引腳易于散熱，因此可通過電介質(zhì)耐壓測試 (HiPot)，并且無需任何外部保護元件即可承受高達 1mA 的直流快速充電器浪涌電流。TPSI2260T-Q1 版本的器件中包含的熱雪崩保護 (TAP) 特性通過監(jiān)測結(jié)溫并使 MOSFET 將溫度保持在安全工作范圍內(nèi)，進一步提高了雪崩電流能力，從而支持更高的雪崩電流。