ZHCSTR8A June 2025 – December 2025 TPSI2260-Q1
PRODUCTION DATA
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TPSI2260-Q1 專為支持電介質(zhì)耐受測試而設(shè)計。在高壓系統(tǒng)中，電介質(zhì)耐受測試 (HiPot) 可在系統(tǒng)的表征、生產(chǎn)或維護期間進行，以驗證其包含的絕緣屏障和電隔離域的可靠性。這些耐壓測試會有意地對涵蓋這些域的元件施加壓力，使它們處于過壓狀態(tài)。處于這些過壓狀態(tài)的 MOSFET 將進入雪崩模式，然后開始在高壓下傳導(dǎo)電流，同時消耗高功率并升溫。TPSI2260T-Q1 集成了熱雪崩保護 (TAP) 技術(shù)。當(dāng) IC 的內(nèi)部溫度上升到超過 TTAP 時，此模式將啟用。在此模式下，該器件將啟用和禁用主功率 FET 以調(diào)節(jié)其內(nèi)部溫度，并能夠承受更高的雪崩電流。TPSI2260-Q1 的設(shè)計和鑒定在此狀態(tài)下完成，為 60 秒時間間隔支持高達 1mA IAVA。
應(yīng)根據(jù)測試持續(xù)時間，選擇電介質(zhì)耐壓測試電壓 (VHiPot)、TPSI2260-Q1 的雪崩電壓 (VAVA) 和與 TPSI2260-Q1 串聯(lián)的電阻 R，將雪崩電流 (IAVA) 限制在相應(yīng)的電流限值。此外，PCB 設(shè)計應(yīng)遵循布局指南部分中的建議，以確保足夠的熱性能，使結(jié)溫 (TJ) 低于 TPSI2260-Q1 的絕對最大額定值。