ZHCSXI0A October 2024 – December 2024 BQ25190
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
該器件包含一個 SYS 電壓調(diào)節(jié)環(huán)路。通過調(diào)節(jié) SYS 電壓，器件可防止連接到 SYS 的下游器件承受高達 VIN_OVP 的電壓。SYS 調(diào)節(jié)僅在 VIN > VIN_UVLO、VIN > VBAT + VSLEEPZ_HYST 且 VIN < VIN_OVP (VIN_PGOOD) 時有效。
為了跟蹤電池、設(shè)置為固定電壓或啟用直通模式，可以通過 SYS_REG 寄存器中的 SYS_REG_CTRL 位控制 SYS 電壓調(diào)節(jié)目標(biāo)。
在電池跟蹤模式下，對于小于 3.6V 的電池，最小電壓為 VMINSYS 值。隨著電池電壓的增加，VSYS 通常會調(diào)節(jié)為比電池高 225mV。如果 VIN < VMINSYS 且 VIN_PGOOD 仍然激活，則 SYS 將處于壓降狀態(tài)。
在固定電壓模式下，SYS 電壓會調(diào)節(jié)為主機設(shè)定的目標(biāo)，介于 4.4V 至 4.9V 范圍內(nèi)。如果 VIN 電壓低于 SYS 目標(biāo)電壓，則器件將處于壓降模式。
在直通模式下，SYS 路徑不受調(diào)節(jié)，VSYS 電壓等于 VIN。對于 5.7V VIN_OVP，僅當(dāng) VIN_OVP 位被設(shè)置為 0 時，SYS 才能被設(shè)置為直通模式。對于 18.5V VIN_OVP，如果 VIN_OVP 位已被設(shè)置為 1，則 SYS 無法通過 I2C 事務(wù)被設(shè)置為直通模式 (SYS_REG_CTRL = 111)。同樣，如果 SYS 已處于直通模式，則無法通過 I2C 事務(wù)將 VIN_OVP 設(shè)置為 18.5V (VIN_OVP = 1)。
應(yīng)使用足夠大的 SYS 電容，以便 VSYS 不會超過系統(tǒng)負載的最大額定值。
| SYS_REG_CTRL | VSYS 目標(biāo) |
|---|---|
b000 | VBAT + 225mV（最小值 3.8V） |
b001 | 4.4 |
b010（默認值） | 4.5 |
b011 | 4.6 |
b100 | 4.7 |
b101 | 4.8 |
b110 | 4.9 |
b111 | 直通 |