在運(yùn)行過(guò)程中，為了防止器件因過(guò)熱而損壞，會(huì)監(jiān)控裸片結(jié)溫。

在適配器模式下，當(dāng) T_J 達(dá)到 T_{SHUT_RISING}、T_{J_BUCK} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_BUCK}（如果啟用了降壓）、T_{J_BB} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_BB}（如果啟用了降壓/升壓）、T_{J_LDO1} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_LDO1}（如果啟用了 LDO1）或 T_{J_LDO2} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_LDO2}（如果啟用了 LDO2）時(shí)，會(huì)觸發(fā) TSHUT 故障。在這種情況下，器件會(huì)停止充電，禁用所有正在運(yùn)行的電源軌，然后關(guān)斷輸入 FET 和 BATFET。在 t_{TSHUT_DGLZ} 之后，如果 T_J 低于 T_{SHUT_FALLING}，則輸入 FET 和 BATFET 將導(dǎo)通以為 SYS 供電，并且可以重新開(kāi)始充電。當(dāng) TSHUT 故障恢復(fù)時(shí)，集成電源軌會(huì)重新啟用。如果在 V_SYS > V _{SEQ_UVLOZ} 時(shí)使用電源序列，則會(huì)實(shí)現(xiàn)上電序列。

在禁用 ADC (ADC_EN = 0) 的電池模式下，當(dāng) T_{J_BUCK} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_BUCK}（如果啟用了降壓）、T_{J_BB} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_BB}（如果啟用了降壓/升壓）、T_{J_LDO1} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_LDO1}（如果啟用了 LDO1）或 T_{J_LDO2} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_LDO2}（如果啟用了 LDO2）時(shí)，會(huì)觸發(fā) TSHUT 故障。在這種情況下，器件會(huì)禁用所有正在運(yùn)行的電源軌。在 t_{TSHUT_DGLZ} 之后，BATFET 會(huì)導(dǎo)通以為 SYS 供電。當(dāng) TSHUT 故障恢復(fù)時(shí)，集成電源軌會(huì)重新啟用。如果在 V_SYS > V _{SEQ_UVLOZ} 時(shí)使用電源序列，則會(huì)實(shí)現(xiàn)上電序列。

在禁用 ADC (ADC_EN = 1) 的僅電池模式下，當(dāng) T_J 達(dá)到 T_{SHUT_RISING}、T_{J_BUCK} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_BUCK}（如果啟用了降壓）、T_{J_BB} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_BB}（如果啟用了降壓/升壓）、T_{J_LDO1} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_LDO1}（如果啟用了 LDO1）或 T_{J_LDO2} 達(dá)到 T_{SHUT_RISING_LDO2}（如果啟用了 LDO2）時(shí)，會(huì)觸發(fā) TSHUT 故障。在這種情況下，器件會(huì)禁用所有正在運(yùn)行的電源軌，然后關(guān)斷 BATFET。在 t_{TSHUT_DGLZ} 之后，如果 T_J 低于 T_{SHUT_FALLING}，則輸入 BATFET 將導(dǎo)通以為 SYS 供電。當(dāng) TSHUT 故障恢復(fù)時(shí)，集成電源軌會(huì)重新啟用。如果在 V_SYS > V _{SEQ_UVLOZ} 時(shí)使用電源序列，則會(huì)實(shí)現(xiàn)上電序列。

在 PFM 模式下降壓熱關(guān)斷保護(hù)無(wú)效，在負(fù)載小于 1mA 時(shí) LDO1/LDO2 熱關(guān)斷無(wú)效。

當(dāng) TSHUT 故障被觸發(fā)時(shí)，如果 TSHUT_MASK 未被設(shè)置為 1，則 TSHUT_STAT/TSHUT_FLAG 會(huì)被設(shè)置為 1，并且會(huì)從 INT 引腳發(fā)送中斷信號(hào)。

如果 TSHUT_LOCK_EN 被設(shè)置為 1，并且在 2s 窗口中觸發(fā) TSHUT 故障 7 至 13 次，則器件被鎖定在 TSHUT 保護(hù)狀態(tài)（輸入 FET 關(guān)斷，BATFET 關(guān)斷，電源軌被禁用）。一旦器件被鎖定在 TSHUT 保護(hù)狀態(tài)，就需要切換 VIN 以使器件在 t_{TSHUT_DGLZ} 之后退出鎖定狀態(tài)。在 t_{TSHUT_DGLZ} 之后，如果 T_J 低于 T_{SHUT_FALLING}，則輸入 FET 或 BATFET 將能夠?qū)ㄒ詾?SYS 供電，并且可以重新開(kāi)始充電。當(dāng) TSHUT 故障恢復(fù)時(shí)，集成電源軌會(huì)重新啟用。如果在 V_SYS > V _{SEQ_UVLOZ} 時(shí)使用電源序列，則會(huì)實(shí)現(xiàn)上電序列。

當(dāng) LDO1 處于常開(kāi)模式 (LDO1_EN_SET = b111) 且 LDO1_SHIP_AO 被設(shè)置為 1 時(shí)，僅當(dāng) T_JT_J達(dá)到 T_{SHUT_RISING_LOD1} 時(shí) LDO1 才會(huì)被禁用，當(dāng) T_J 降至低于 T_{SHUT_FALLING_LOD1} 時(shí) LDO1 恢復(fù)運(yùn)行。在 LDO1 開(kāi)啟運(yùn)輸模式下，如果觸發(fā)了故障，則不會(huì)更新 TSHUT_STAT/TSHUT_FLAG。

在充電過(guò)程中，為了防止器件過(guò)熱，器件會(huì)監(jiān)控裸片的結(jié)溫，并在 T_J 達(dá)到熱調(diào)節(jié)閾值 (T_REG) 時(shí)根據(jù) THERM_REG 設(shè)置所設(shè)置的位減小充電電流。如果充電電流降至 0，則電池會(huì)提供為 SYS 輸出供電所需的電流?？赏ㄟ^(guò) I²C 禁用熱調(diào)節(jié)。

在 I²C 中可以選擇四種溫度設(shè)置，如節(jié) 7.6 所示。

可使用以下公式，根據(jù)預(yù)期的電路板性能估算裸片結(jié)溫 T_J：

T_J = T_A + θ_JA * P_DISS

θ_JA 在很大程度上取決于電路板布局布線(xiàn)。更多有關(guān)新舊熱指標(biāo)的信息，請(qǐng)參閱 IC 封裝熱指標(biāo)應(yīng)用報(bào)告。

為了實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行，請(qǐng)將結(jié)溫限制在建議運(yùn)行條件 表中列出的最大值。在超過(guò)這個(gè)最高溫度的情況下運(yùn)行會(huì)導(dǎo)致器件超出運(yùn)行規(guī)格。盡管器件的熱保護(hù)旨在針對(duì)過(guò)熱情況提供保護(hù)，但熱保護(hù)并不用于替代適當(dāng)?shù)纳帷Ｊ蛊骷掷m(xù)進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)或在超過(guò)建議的最高結(jié)溫下運(yùn)行會(huì)降低長(zhǎng)期可靠性。