該器件針對(duì) MOSFET 的任何跨導(dǎo)提供全面保護(hù)。在半橋配置中,通過插入死區(qū)時(shí)間 (tdead) 來維持高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的運(yùn)行,從而避免任何擊穿電流。這是通過檢測高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并保持高側(cè) MOSFET 的 VGS 已達(dá)到低于關(guān)斷電平,然后再打開同一半橋的低側(cè) MOSFET 來實(shí)現(xiàn)的,如圖 7-12 和圖 7-13 所示。