ZHCSY89 May 2025 DRV8376-Q1
PRODUCTION DATA
DRV8376-Q1 中的功率損耗包括待機(jī)功率損耗、LDO 功率損耗、FET 導(dǎo)通和開關(guān)損耗以及二極管損耗。FET 導(dǎo)通損耗在 DRV8376-Q1 的總功率耗散中占主導(dǎo)地位。在啟動和故障情況下,輸出電流遠(yuǎn)大于正常電流;務(wù)必將這些峰值電流以及電流持續(xù)時間考慮在內(nèi)??偲骷纳⑹侨齻€半橋中每個半橋耗散的總功率。器件可耗散的最大功率取決于環(huán)境溫度和散熱。請注意,RDS,ON 隨溫度升高而增加,因此隨著器件發(fā)熱,功率耗散也會增大。在設(shè)計 PCB 和散熱時,應(yīng)考慮這一點(diǎn)。