ZHCSY89 May 2025 DRV8376-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 輸出級(jí)
- 7.3.2 控制模式
- 7.3.3 器件接口模式
- 7.3.4 AVDD 和 GVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.5 電荷泵
- 7.3.6 壓擺率控制
- 7.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時(shí)間）
- 7.3.8 傳播延遲
- 7.3.9 引腳圖
- 7.3.10 電流檢測(cè)放大器
- 7.3.11 主動(dòng)消磁
- 7.3.12 逐周期電流限制
- 7.3.13 保護(hù)功能
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 SPI 通信
- 8 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- NLG|28
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- NLG|28
訂購(gòu)信息
7.3.6 壓擺率控制
可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)電流控制主動(dòng)管理半橋中的 MOSFET，以實(shí)現(xiàn)壓擺率控制。MOSFET VDS 壓擺率對(duì)優(yōu)化輻射發(fā)射、二極管恢復(fù)尖峰的能量和持續(xù)時(shí)間以及寄生引起的開(kāi)關(guān)電壓瞬態(tài)有著關(guān)鍵影響。內(nèi)部 MOSFET 的柵極電荷的速率主要決定這些壓擺率，如圖 7-10 所示。
圖 7-10 壓擺率電路實(shí)現(xiàn)在硬件型號(hào)中，每個(gè)半橋的壓擺率可以通過(guò) SLEW 引腳進(jìn)行調(diào)整，在 SPI 器件型號(hào)中則使用 SLEW 位進(jìn)行調(diào)整。每個(gè)半橋都可以選擇為 1.1V/ns、0.5V/ns、0.25V/ns 或 0.05V/ns 的壓擺率設(shè)置。壓擺率根據(jù) OUTx 引腳電壓的上升時(shí)間和下降時(shí)間計(jì)算得出，如圖 7-11 所示。
圖 7-11 壓擺率時(shí)序注： DRV8376H 器件僅在上電期間檢測(cè) SLEW 引腳，并且在運(yùn)行期間不支持壓擺率更改。在 DRV8376S 器件中，可在運(yùn)行期間通過(guò)寄存器寫(xiě)入來(lái)更改壓擺率。TI 建議不要在運(yùn)行期間更改壓擺率。