ZHCSY89 May 2025 DRV8376-Q1
PRODUCTION DATA
在該模式下發(fā)生 OCP 事件后,所有 MOSFET 都被禁用,并且 nFAULT 引腳被驅(qū)動至低電平。FAULT、OCP 和相應(yīng)的 FET OCP 位在 SPI 寄存器中被鎖存為高電平。OCP 條件清除并通過 CLR_FLT 位或 nSLEEP 復(fù)位脈沖 (tRST) 發(fā)出清除故障命令后,器件將再次開始正常運行(驅(qū)動器運行且釋放 nFAULT 引腳)。
圖 7-37 過流保護 - 鎖存關(guān)斷模式