ZHCSML3B June 2020 – May 2022 DRV8436
PRODUCTION DATA
對(duì)于在全橋內(nèi)連接的電機(jī)而言,電流路徑為通過一個(gè)半橋的高側(cè) FET 和另一個(gè)半橋的低側(cè) FET。導(dǎo)通損耗 (PCOND) 取決于電機(jī)的均方根電流 (IRMS) 以及高側(cè) (RDS(ONH)) 和低側(cè) (RDS(ONL)) 的導(dǎo)通電阻(如下所示)。
在本部分所討論的典型應(yīng)用中,導(dǎo)通損耗的計(jì)算公式如下:
這種計(jì)算方式高度依賴于器件的溫度,因?yàn)闇囟葧?huì)顯著影響高側(cè)和低側(cè)的 FET 導(dǎo)通電阻。如需更準(zhǔn)確地計(jì)算該值,請(qǐng)考慮器件溫度對(duì) FET 導(dǎo)通電阻的影響。