ZHCSKN1B November 2019 – May 2021 DRV8899-Q1
PRODUCTION DATA
每個(gè) FET 上的模擬電流限制電路都將通過移除柵極驅(qū)動(dòng)來限制流經(jīng) FET 的電流。如果此電流限制的持續(xù)時(shí)間超過 tOCP，則將會(huì)禁用相應(yīng) H 橋中的 FET 并將 nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平。FAULT 和 OCP 位在 SPI 寄存器中被鎖存為高電平。對(duì)于 xOUTx 到 VM 短路，相應(yīng)的 OCP_LSx_x 位在 DIAG 狀態(tài) 1 寄存器中變?yōu)楦唠娖?。同樣，?duì)于 xOUTx 到接地短路，相應(yīng)的 OCP_HSx_x 位會(huì)變?yōu)楦唠娖?。例如，?duì)于 AOUT1 到 VM 短路，OCP_LS1_A 位會(huì)變?yōu)楦唠娖?；?duì)于 BOUT2 到接地短路，OCP_HS2_B 位會(huì)變?yōu)楦唠娖?。在這種情況下，電荷泵仍保持激活狀態(tài)。過流保護(hù)可在兩種不同的模式下運(yùn)行：鎖存關(guān)斷和自動(dòng)重試。