ZHCSKN1B November 2019 – May 2021 DRV8899-Q1
PRODUCTION DATA
如果內(nèi)核溫度超過(guò)熱關(guān)斷限值 (TOTSD),則會(huì)禁用 H 橋中的所有 MOSFET 并將 nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平。在這種情況下,電荷泵會(huì)禁用。此外,F(xiàn)AULT、TF 和 OTS 位會(huì)被鎖存為高電平。無(wú)法禁用此保護(hù)特性。過(guò)熱保護(hù)可在兩種不同的模式下運(yùn)行:鎖存關(guān)斷和自動(dòng)恢復(fù)。