ZHCSKN1B November 2019 – May 2021 DRV8899-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓（VM、DVDD、VSDO） | ||||||
| IVM | VM 工作電源電流 | DRVOFF = 0、nSLEEP = 1，無輸出 | 5 | 7 | mA | |
| IVMQ | VM 睡眠模式電源電流 | nSLEEP = 0 | 2 | 4 | μA | |
| tSLEEP | 休眠時(shí)間 | nSLEEP = 0 至睡眠模式 | 75 | μs | ||
| tRESET | nSLEEP 復(fù)位脈沖 | nSLEEP 低電平至僅清除故障寄存器 | 18 | 35 | μs | |
| tWAKE | 喚醒時(shí)間 | nSLEEP = 1 至輸出轉(zhuǎn)換 | 0.6 | 0.9 | ms | |
| tON | 開通時(shí)間 | VM > UVLO 至輸出轉(zhuǎn)換 | 0.6 | 0.9 | ms | |
| VDVDD | 內(nèi)部穩(wěn)壓器電壓 | 無外部負(fù)載，6V < VVM < 45V | 4.5 | 5 | 5.5 | V |
| 電荷泵（VCP、CPH、CPL） | ||||||
| VVCP | VCP 工作電壓 | VM + 5 | V | |||
| f(VCP) | 電荷泵開關(guān)頻率 | VVM > UVLO；nSLEEP = 1 | 400 | kHz | ||
| 邏輯電平輸入（STEP、DIR、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI、DRVOFF） | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.6 | V | ||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.5 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 輸入邏輯遲滯 | 150 | mV | |||
| IIL1 | 輸入邏輯低電平電流 | VIN = 0V（nSCS、DRVOFF） | 8 | 12 | μA | |
| IIL2 | 輸入邏輯低電平電流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH1 | 輸入邏輯高電平電流 | VIN = DVDD（nSCS、DRVOFF） | 500 | nA | ||
| IIH2 | 輸入邏輯高電平電流 | VIN = 5V | 50 | μA | ||
| 推挽式輸出 (SDO) | ||||||
| RPD，SDO | 內(nèi)部下拉電阻 | 5mA 負(fù)載，以 GND 為基準(zhǔn) | 40 | 75 | ? | |
| RPU，SDO | 內(nèi)部上拉電阻 | 5mA 負(fù)載，以 VSDO 為基準(zhǔn) | 30 | 60 | ? | |
| ISDO | SDO 泄漏電流 | SDO = VSDO 和 0V | -1 | 1 | μA | |
| 控制輸出 (nFAULT) | ||||||
| VOL | 輸出邏輯低電平電壓 | IO = 5mA | 0.4 | V | ||
| IOH | 輸出邏輯高電平泄漏電流 | VVM = 13.5V | -1 | 1 | μA | |
| 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器輸出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2） | ||||||
| RDS(ONH) | 高側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | TJ = 25°C，IO = -1A | 600 | 730 | mΩ | |
| TJ = 125°C，IO = -1A | 900 | 1100 | mΩ | |||
| TJ = 150°C，IO = -1A | 1040 | 1250 | m? | |||
| RDS(ONL) | 低側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | TJ = 25°C，IO = -1A | 600 | 730 | mΩ | |
| TJ = 125°C，IO = -1A | 900 | 1100 | mΩ | |||
| TJ = 150°C，IO = -1A | 1040 | 1250 | m? | |||
| tSR | 輸出壓擺率 | SR = 00b，VM = 13.5V，IO = 0.5A | 10 | V/μs | ||
| SR = 01b，VM = 13.5V，IO = 0.5A | 35 | |||||
| SR = 10b，VM = 13.5V，IO = 0.5A | 50 | |||||
| SR = 11b，VM = 13.5V，IO = 0.5A | 105 | |||||
| PWM 電流控制 (VREF) | ||||||
| KV | 跨阻增益 | 2.2 | V/A | |||
| tOFF | PWM 關(guān)斷時(shí)間 | TOFF = 00b | 7 | μs | ||
| TOFF = 01b | 16 | |||||
| TOFF = 10b | 24 | |||||
| TOFF = 11b | 32 | |||||
| ΔITRIP | 電流跳變精度 | IO = 1A，10% 至 30% 電流設(shè)置 | –13 | 10 | % | |
| IO = 1A，30% 至 100% 電流設(shè)置 | –8 | 8 | ||||
| IO,CH | AOUT 和 BOUT 電流匹配 | IO = 1A | -2.5 | 2.5 | % | |
| 保護(hù)電路 | ||||||
| VUVLO | VM UVLO 鎖定 | VM 下降，UVLO 下降 | 4.15 | 4.25 | 4.35 | V |
| VM 上升，UVLO 上升 | 4.25 | 4.35 | 4.45 | |||
| VUVLO,HYS | 欠壓遲滯 | 上升至下降閾值 | 100 | mV | ||
| VRST | VM UVLO 復(fù)位 | VM 下降，器件復(fù)位，無SPI 通信 | 3.9 | V | ||
| VCPUV | 電荷泵欠壓 | VCP 下降；CPUV 報(bào)告 | VM + 2 | V | ||
| IOCP | 過流保護(hù) | 流經(jīng)任何 FET 的電流 | 1.7 | A | ||
| tOCP | 過流抗尖峰時(shí)間 | VVM < 37V | 3 | μs | ||
| VVM ≥ 37 V | 0.5 | |||||
| tRETRY | 過流重試時(shí)間 | OCP_MODE = 1b | 4 | ms | ||
| tOL | 開路負(fù)載檢測(cè)時(shí)間 | EN_OL = 1b | 200 | ms | ||
| IOL | 開路負(fù)載電流閾值 | 30 | mA | |||
| TOTW | 過熱警告 | 內(nèi)核溫度 TJ | 135 | 150 | 165 | °C |
| TUTW | 欠溫警告 | 內(nèi)核溫度 TJ | -25 | -10 | 5 | °C |
| TOTSD | 熱關(guān)斷 | 內(nèi)核溫度 TJ | 150 | 165 | 180 | °C |
| THYS_OTSD | 熱關(guān)斷遲滯 | 內(nèi)核溫度 TJ | 20 | °C | ||
| THYS_OTW | 過熱警告遲滯 | 內(nèi)核溫度 TJ | 20 | °C | ||
| THYS_UTW | 欠溫警告遲滯 | 內(nèi)核溫度 TJ | 10 | °C | ||