ZHCSV22 November 2025 ISOW6441 , ISOW6442
ADVANCE INFORMATION
若要使用此器件進(jìn)行設(shè)計(jì)，請使用表 8-1 中列出的參數(shù)。
| 參數(shù) | 值 |
|---|---|
| VDD 輸入電壓 | 3V 至 5.5V |
| VDDL 輸入電壓 |
2.25V 至 5.5V |
| VDD 解耦電容器 | 10μF + 1μF + 0.01μF + 可選附加電容 |
| VDDL 解耦電容器 | 0.1μF + 可選附加電容 |
| VISO 解耦電容器 | 10μF + 1μF + 0.01μF + 可選附加電容 |
流過 ISOW6441 器件 VDD 和 VISO 電源的電流很大，因此通常去耦電容器越大，器件的噪聲和紋波性能就越出色。盡管 10μF 的電容器就足夠了，但強(qiáng)烈建議在 VISO 和 VDD 引腳與相應(yīng)接地端之間使用更大的去耦電容器（例如 47μF），以實(shí)現(xiàn)最佳性能。