ZHCSU58 December 2023 MCT8315Z
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細(xì)說明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說明
- 8.3.1 輸出級
- 8.3.2 PWM 控制模式（1x PWM 模式）
- 8.3.3 器件接口模式
- 8.3.4 混合模式降壓穩(wěn)壓器
- 8.3.5 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 8.3.6 電荷泵
- 8.3.7 壓擺率控制
- 8.3.8 跨導(dǎo)（死區(qū)時間）
- 8.3.9 傳播延遲
- 8.3.10 引腳圖
- 8.3.11 主動消磁
- 8.3.12 逐周期電流限制
- 8.3.13 霍爾比較器（模擬霍爾輸入）
- 8.3.14 超前角
- 8.3.15 FGOUT 信號
- 8.3.16 保護(hù)功能
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 SPI 通信
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RRY|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RRY|32
訂購信息
9.3.1.1.2 使用主動消磁
主動消磁通過在體二極管開始導(dǎo)通時自動導(dǎo)通 MOSFET 以降低二極管導(dǎo)通損耗，從而降低器件中的功率損耗。它用于切換換向狀態(tài)時的梯形換向（關(guān)斷一個高側(cè) MOSFET 并導(dǎo)通另一個高側(cè) MOSFET，同時保持低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通）。當(dāng)在 SPI 型號中設(shè)置 EN_ASR 和 EN_AAR 位或在硬件型號中將 MODE 引腳將設(shè)置為模式 5、模式 6 或模式 7 時，將啟用主動消磁。
當(dāng)在禁用主動消磁的情況下切換換向狀態(tài)時，會插入死區(qū)時間，低側(cè) MOSFET 的體二極管會導(dǎo)通，同時導(dǎo)通另一個高側(cè) MOSFET，以繼續(xù)通過電機(jī)提供電流。由于二極管的正向偏置電壓和較慢的電流耗散，該導(dǎo)通期間會導(dǎo)致更高的功率損耗。圖 9-7 顯示了在切換換向狀態(tài)時的體二極管導(dǎo)通。
圖 9-7 在 MCT8315Z 中禁用了主動消磁
圖 9-8 在 MCT8315Z 中啟用了主動消磁