ZHCSU58 December 2023 MCT8315Z
PRODUCTION DATA
MCT8315Z 中的功率損耗包括待機(jī)功率損耗、LDO 和降壓功率損耗、FET 導(dǎo)通和開關(guān)損耗以及二極管損耗。FET 導(dǎo)通損耗在 MCT8315Z 的總功率耗散中占主導(dǎo)地位。在啟動(dòng)和故障情況下，輸出電流遠(yuǎn)大于正常電流；務(wù)必將這些峰值電流及其持續(xù)時(shí)間考慮在內(nèi)?？偲骷纳⑹侨齻€(gè)半橋中每個(gè)半橋耗散的總功率。器件可耗散的最大功率取決于環(huán)境溫度和散熱。請(qǐng)注意，RDS,ON 隨溫度升高而增加，因此隨著器件發(fā)熱，功率耗散也會(huì)增大。在設(shè)計(jì) PCB 和散熱時(shí)，應(yīng)考慮這一點(diǎn)。
下面顯示了梯形控制的每個(gè)損耗計(jì)算公式的摘要。
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損耗類型 |
梯形波 |
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待機(jī)功耗 |
Pstandby = VM x IVM_TA |
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LDO（來自 VM） |
PLDO = (VM-VAVDD) x IAVDD |
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FET 導(dǎo)通 |
PCON = 2 x IRMS(trap) x Rds,on(TA) |
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FET 開關(guān) |
PSW = IPK(trap) x VPK(trap) x trise/fall x fPWM |
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Diode |
Pdiode = IRMS(trap) x Vdiode X tdiode x fPWM |
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降壓 |
PBK = 0.97 x VBK x IBK |