ZHCSU58 December 2023 MCT8315Z
PRODUCTION DATA
該器件受到全面保護,可防止 MOSFET 發(fā)生任何跨導 - 在高側(cè)和低側(cè) MOSFET 切換期間,MCT8315Z 通過插入死區(qū)時間 (tdead) 來避免擊穿事件。這是通過檢測高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并確保高側(cè) MOSFET 的 VGS 已達到低于關斷電平,然后再打開同一半橋的低側(cè) MOSFET(反之亦然)來實現(xiàn)的,如圖 8-19 和圖 8-20 所示。