ZHCSU58 December 2023 MCT8315Z
PRODUCTION DATA
對半橋的 MOSFET 實施可調(diào)柵極驅(qū)動電流控制,以實現(xiàn)壓擺率控制。MOSFET VDS 壓擺率是優(yōu)化輻射發(fā)射、二極管恢復(fù)尖峰的能量和持續(xù)時間以及與寄生效應(yīng)相關(guān)的開關(guān)電壓瞬態(tài)的關(guān)鍵因素。這些壓擺率主要由內(nèi)部 MOSFET 的柵極電荷的速率決定,如圖 8-17 所示。
圖 8-17 壓擺率電路實現(xiàn)壓擺率可以通過硬件型號中的 SLEW 引腳或使用 SPI 型號中的 SLEW 位進(jìn)行調(diào)整。有四種壓擺率設(shè)置可用:25V/μs、50V/μs、125V/μs 或 200V/μs.壓擺率根據(jù) OUTx 引腳電壓的上升時間和下降時間計算得出,如圖 8-18 所示。
圖 8-18 壓擺率時序