ZHCSQ43 january 2023 MCT8329A
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 三相 BLDC 柵極驅(qū)動器
- 7.3.2 柵極驅(qū)動架構(gòu)
- 7.3.3 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.4 DVDD 穩(wěn)壓器
- 7.3.5 低側(cè)電流檢測放大器
- 7.3.6 器件接口模式
- 7.3.7 電機(jī)控制輸入選項(xiàng)
- 7.3.8 在不同初始條件下啟動電機(jī)
- 7.3.9 電機(jī)啟動順序 (MSS)
- 7.3.10 閉環(huán)運(yùn)行
- 7.3.11 速度環(huán)路
- 7.3.12 電源環(huán)路
- 7.3.13 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.14 輸出 PWM 開關(guān)頻率
- 7.3.15 快速啟動時間（< 50ms）
- 7.3.16 快速減速
- 7.3.17 動態(tài)電壓調(diào)節(jié)
- 7.3.18 電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)選項(xiàng)
- 7.3.19 FG 配置
- 7.3.20
保護(hù)功能
- 7.3.20.1 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 7.3.20.2 AVDD 上電復(fù)位 (AVDD_POR)
- 7.3.20.3 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 7.3.20.4 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 7.3.20.5 MOSFET VDS 過流保護(hù) (VDS_OCP)
- 7.3.20.6 VSENSE 過流保護(hù) (SEN_OCP)
- 7.3.20.7 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 7.3.20.8
逐周期 (CBC) 電流限制 (CBC_ILIMIT)
- 7.3.20.8.1 CBC_ILIMIT 自動恢復(fù)下一個 PWM 周期 (CBC_ILIMIT_MODE = 000xb)
- 7.3.20.8.2 CBC_ILIMIT 基于自動恢復(fù)閾值 (CBC_ILIMIT_MODE = 001xb)
- 7.3.20.8.3 CBC_ILIMIT 'n' 個 PWM 周期后自動恢復(fù) (CBC_ILIMIT_MODE = 010xb)
- 7.3.20.8.4 CBC_ILIMIT 僅報(bào)告 (CBC_ILIMIT_MODE = 0110b)
- 7.3.20.8.5 CBC_ILIMIT 已禁用（CBC_ILIMIT_MODE = 0111b 或 1xxxb）
- 7.3.20.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.20.10 電機(jī)鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.20.11 電機(jī)鎖定檢測
- 7.3.20.12 IPD 故障
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 7.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 7.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REE|36
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.18.2 再循環(huán)模式
可以通過將 MTR_STOP 設(shè)置為 001b 來配置再循環(huán)模式。為了防止電感能量在電機(jī)停止期間返回到直流輸入電源中，MCT8329A 允許電流在外部 MOSFET 內(nèi)循環(huán)，方法是有選擇地關(guān)斷一些處于工作（導(dǎo)通）狀態(tài)的 MOSFET 一段時間（自動計(jì)算再循環(huán)時間以允許電感電流衰減到零），然后通過關(guān)斷剩余的 MOSFET 來轉(zhuǎn)換至高阻態(tài)。
如果高側(cè)調(diào)制處于運(yùn)行狀態(tài)，則在發(fā)出電動機(jī)停止命令之前，高側(cè) MOSFET 在接收到電動機(jī)停止命令時關(guān)斷，電流再循環(huán)通過低側(cè) MOSFET 進(jìn)行（請參閱示例圖 7-34）。再循環(huán)時間結(jié)束后，低側(cè) MOSFET 也會關(guān)斷，所有 MOSFET 都處于高阻態(tài)。
圖 7-34 低側(cè)再循環(huán)如果低側(cè)調(diào)制處于活動狀態(tài)，則在發(fā)出電動機(jī)停止命令之前，低側(cè) MOSFET 在接收電動機(jī)停止命令時關(guān)斷，電流再循環(huán)通過高側(cè) MOSFET 進(jìn)行(請參閱示例 圖 7-35)。再循環(huán)時間結(jié)束后，高側(cè) MOSFET 也會關(guān)斷，所有 MOSFET 都處于高阻態(tài)。
圖 7-35 高側(cè)再循環(huán)