如果內(nèi)核溫度超過熱關(guān)斷限制 (TOTSD) 的跳閘點(diǎn),則會(huì)識(shí)別到 OTSD 事件。檢測(cè)到 OTSD 過熱事件后,所有柵極驅(qū)動(dòng)器輸出都被驅(qū)動(dòng)為低電平以禁用外部 MOSFET,并且 nFAULT 引腳被驅(qū)動(dòng)為低電平。通過配置 OTS_AUTO_RECOVERY,可以將過溫保護(hù)配置為鎖存模式或自動(dòng)恢復(fù)模式。在鎖存模式下,在 TOTSD 條件被清除并通過 CLR_FLT 位發(fā)出清除故障命令后會(huì)恢復(fù)正常運(yùn)行。在自動(dòng)恢復(fù)模式下,TOTSD 條件被清除后會(huì)恢復(fù)正常運(yùn)行。