ZHCSQ43 january 2023 MCT8329A
PRODUCTION DATA
IPD 釋放使用高阻態(tài)模式,高側(cè) (HSA) 和低側(cè) (LSC) MOSFET 均關(guān)斷,電流通過體二極管再循環(huán)回到電源中(請參閱圖 7-19)。
IPD 釋放期間的高阻態(tài)模式會使電機直流電源電壓 VM (VPVDD) 上的電壓升高。用于必須通過選擇適當?shù)你Q位電路或通過在 VPVDD 和 GND 之間提供足夠的電容以吸收能量來解決該問題。