ZHCACB2A March   2023  – November 2023 AM2732 , AM2732-Q1

1.   1
2.   摘要
3.   商標(biāo)
4. 1 引言
   1. 1.1 首字母縮寫詞
5. 2 電源
   1. 2.1 分立式直流/直流電源解決方案
   2. 2.2 集成的 PMIC 電源解決方案
   3. 2.3 電源去耦和濾波
   4. 2.4 功耗
6. 3 計(jì)時(shí)
   1. 3.1 晶體和振蕩器輸入選項(xiàng)
   2. 3.2 輸出時(shí)鐘生成
   3. 3.3 晶體選擇和并聯(lián)電容
   4. 3.4 晶體放置和布線
7. 4 復(fù)位
8. 5 自舉
   1. 5.1 SOP 信號(hào)實(shí)現(xiàn)
   2. 5.2 QSPI 存儲(chǔ)器控制器實(shí)現(xiàn)
   3. 5.3 ROM QSPI 引導(dǎo)要求
9. 6 JTAG 仿真器和跟蹤
10. 7 多路復(fù)用外設(shè)
11. 8 數(shù)字外設(shè)
    1. 8.1 通用數(shù)字外設(shè)布線指南
12. 9 層堆疊
    1. 9.1 TMDS273GPEVM 層堆疊
       1. 9.1.1 TMDS273GPEVM 關(guān)鍵層疊特性
    2. 9.2 四層 ZCE 示例層堆疊
       1. 9.2.1 ZCE 四層示例關(guān)鍵層疊特性
    3. 9.3 四層 NZN 示例層堆疊
       1. 9.3.1 NZN 四層示例關(guān)鍵層疊特性
13. 10過孔
14. 11BGA 電源扇出和去耦放置
    1. 11.1 接地回路
       1. 11.1.1 接地回路 - TMDS273GPEVM
       2. 11.1.2 接地回路 - ZCE 四層示例
       3. 11.1.3 接地回路 - NZN 四層示例
    2. 11.2 1.2V 內(nèi)核數(shù)字電源
       1. 11.2.1 1.2V 內(nèi)核數(shù)字電源主要布局注意事項(xiàng)
          1. 11.2.1.1 1.2V 內(nèi)核布局 - TMDS273GPEVM
          2. 11.2.1.2 1.2V 內(nèi)核布局 - ZCE 四層示例
          3. 11.2.1.3 1.2V 內(nèi)核布局 - NZN 四層示例
    3. 11.3 3.3V 數(shù)字和模擬電源
       1. 11.3.1 3.3V 數(shù)字和模擬電源主要布局注意事項(xiàng)
          1. 11.3.1.1 3.3V 數(shù)字和模擬布局 - TMDS273GPEVM
          2. 11.3.1.2 3.3V 數(shù)字和模擬布局 - ZCE 四層示例
          3. 11.3.1.3 3.3V 數(shù)字和模擬布局 - NZN 四層示例
    4. 11.4 1.8V 數(shù)字和模擬電源
       1. 11.4.1 1.8V 數(shù)字和模擬電源主要布局注意事項(xiàng)
          1. 11.4.1.1 1.8V 數(shù)字和模擬布局 - TMDS273GPEVM
          2. 11.4.1.2 1.8V 數(shù)字和模擬布局 - ZCE 四層示例
          3. 11.4.1.3 1.8V 數(shù)字和模擬布局 - NZN 四層示例
15. 12參考文獻(xiàn)
16. 13修訂歷史記錄