對于 AM273x 器件，ROM 代碼需要以下 QSPI 閃存特性：
- 閃存器件應(yīng)與 AM273x 器件提供的 3.3V LVCMOS 信號電平兼容
- 確保閃存器件設(shè)置為禁用寫保護(hù)模式和禁用保持模式。
- 這通常是閃存器件的 D1 和 D2 引腳上的上拉電阻器選項。
- 確保應(yīng)用了適當(dāng)?shù)纳侠娮杵?，以便選擇正確的工作狀態(tài)。
- 閃存器件能夠支持四路輸出快速讀?。ú僮鞔a 0x6B）
- 閃存必須能夠在單一模式下支持快速讀?。ú僮鞔a 0x0B）
- 在前面提到的讀取操作期間，器件應(yīng)允許 8 個“虛擬”時鐘周期來設(shè)置初始地址
- 默認(rèn)情況下，閃存必須支持 3 字節(jié)（24 位）尋址模式
- 閃存大小應(yīng)在 2.5MB-4MB 范圍內(nèi)，但不建議超過 16MB 范圍以確保正確操作
以下閃存器件列表已通過 AM273x MCU 兼容性測試。有關(guān)上述兼容性要求，請查看特定閃存器件的特定數(shù)據(jù)表。
表 5-3 與 AM273x 兼容的 QSPI 器件
| 制造商 |
閃存器件 |
| Infineon（英飛凌） |
S25FL128S/S25FL256S 系列 |
| Winbond |
W25Q 系列 |
| GigaDevice |
GD25 系列 |
| 旺宏電子 (Macronix) |
MX25xxx35 系列 |
注： AM273x GPEVM 上使用了來自 GigaDevice 的 GD25B64CWAG 器件。