ZHCACB2A March 2023 – November 2023 AM2732 , AM2732-Q1
表 2-1 描述了 AM273x 所需的初始 BGA 去耦和電源濾波。這些特性基于 AM273 GPEVM PCB 和 AM273x 封裝在上述瞬態(tài)用例中的初始仿真反饋。
以下各節(jié)以及 AM273x EVM 原理圖和布局中介紹的去耦網(wǎng)絡(luò)是任何 AM273x PCB 設(shè)計(jì)的合理起點(diǎn)。節(jié) 11 中提供了去耦網(wǎng)絡(luò)的附加放置指導(dǎo)。但是,由于特定的 PCB 布線差異以及由此產(chǎn)生的平面電容和去耦安裝電感以及其他寄生效應(yīng),強(qiáng)烈建議設(shè)計(jì)人員仿真和測量其特定的配電網(wǎng)絡(luò)性能。理想情況下,仿真和測量應(yīng)在目標(biāo)應(yīng)用軟件處于活動(dòng)狀態(tài)和適用于系統(tǒng)的預(yù)期操作環(huán)境條件情況下進(jìn)行。
| 器件電源 | 數(shù)量 | 備注 | 器件型號 | 制造商 |
|---|---|---|---|---|
| 1.2V VDD_CORE | 2 | 2.2μF,6.3V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0603 | GCM188R70J225KE22D | Murata(村田) |
| 5 | 0.22μF,16V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0402 | GCM155R71C224KE02D | Murata(村田) | |
| 3 | 0.01μF,50V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0402 | CGA2B3X7R1H103K050BB | TDK | |
| 1.2V SRAM | 1 | 0.22μF,16V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0402 | GCM155R71C224KE02D | Murata(村田) |
| 2 | 0.1μF,16V,±10%,X7R,0402 | GCM155R71C104KA55D | Murata(村田) | |
| 1.8V IO 電源 | 4 | 0.22μF,16V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0402 | GCM155R71C224KE02D | Murata(村田) |
| 3.3V IO 電源 | 1 | 2.2μF,6.3V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0603 | GCM188R70J225KE22D | Murata(村田) |
| 6 | 0.22μF,16V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0402 | GCM155R71C224KE02D | Murata(村田) | |
| 1.8V ADC 電源 | 1 | 0.22μF,16V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0402 | GCM155R71C224KE02D | Murata(村田) |
| 1.8V 時(shí)鐘電源 | 1 | 0.22μF,16V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0402 | GCM155R71C224KE02D | Murata(村田) |
| 1.8V CSI 電源 | 1 | 0.22μF,16V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0402 | GCM155R71C224KE02D | Murata(村田) |
| 1.8V LVDS 電源 | 1 | 0.22μF,16V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0402 | GCM155R71C224KE02D | Murata(村田) |
| VNWA 電源 | 1 | 0.1μF,16V,±10%,X7R,0402 | GCM155R71C104KA55D | Murata(村田) |
| 帶隙電源 | 1 | 0.047μF,50V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 級,0402 | CGA2B3X7R1H473K050BB | TDK |
| VPP 電源 | 1 | 0.1μF,16V,±10%,X7R,0402 | GCM155R71C104KA55D | Murata(村田) |
圖 2-4 AM273x GPEVM 摘錄 – 1.2V 電源去耦示意圖
圖 2-5 AM273x GPEVM 摘錄 – 1.8V 數(shù)字 I/O 去耦示意圖
圖 2-6 AM273x GPEVM 摘錄 – 3.3 數(shù)字 I/O 去耦示意圖
圖 2-7 AM273x GPEVM 摘錄 – SRAM 去耦示意圖
圖 2-8 AM273x GPEVM 摘錄 – 附加的去耦示意圖