ZHCAEV0 December 2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1
7.4 工作臺(tái)測(cè)量結(jié)果
這里使用不同的檢測(cè)方法執(zhí)行了四種不同的 SC 測(cè)試。9V DESAT 閾值柵極驅(qū)動(dòng)器 UCC21750-Q1 用于在沒(méi)有外部充電電流和有外部充電電流的情況下捕獲 SC 數(shù)據(jù)。此外，0.7V OC 閾值柵極驅(qū)動(dòng)器 UCC21710-Q1 和 UCC21732-Q1 用于捕獲 STO 和 2LTO 兩種不同關(guān)斷方式下的 SC 數(shù)據(jù)。
- 案例 1：9V DESAT，無(wú)外部充電電流且采用 STO
- 案例 2：9V DESAT，具有外部充電電流并采用 STO
- 案例 3：0.7V OC 閾值，采用 STO
- 案例 4：0.7V OC 閾值，采用 2LTO
圖 7-7 案例 1 和案例 2 SiC SC 事件屏幕截圖如圖 7-7 所示，在默認(rèn)充電電流為 0.5mA 的情況下，與外部充電電路相比，檢測(cè)時(shí)間、峰值 SC 電流、關(guān)斷能量和關(guān)斷時(shí)間都很大，以實(shí)現(xiàn)更快的檢測(cè)。
圖 7-8 Case3 和 Case4 SiC SC 事件屏幕截圖如圖 7-8 所示，“OC 作為 DESAT”峰值電流和檢測(cè)時(shí)間（案例 3 和 4）與具有外部充電電流的“DESAT”檢測(cè)時(shí)間（案例 2）相當(dāng)。
在關(guān)斷能量方面，案例 3 400mA STO 性能與案例 2 相匹配，但案例 4 的 2LTO 性能表現(xiàn)出更高的關(guān)斷能量和更長(zhǎng)的關(guān)斷時(shí)間，因?yàn)闁艠O電壓會(huì)在 9V 附近保持約 1μs，并且峰值電流沒(méi)有降低，保持不變。這是因?yàn)?9V 閾值的柵極保持電壓會(huì)使 SiC 模塊保持導(dǎo)通，并且峰值電流沒(méi)有降低。如果電源模塊的“導(dǎo)通閾值”略低于 9V，則會(huì)降低 SC 電流，并且 2LTO 僅在這種情況下有效。
上述四種情況也適用于 IGBT 電源模塊。
圖 7-9 案例 1 和案例 2 IGBT SC 事件屏幕截圖
圖 7-10 案例 3 和案例 4 IGBT SC 事件屏幕截圖就 DESAT/OC 電路行為而言，IGBT 的性能與 SiC 電源模塊相當(dāng)。
但是，與 SiC 相比，在 IGBT 模塊中觀察到的總峰值電流要低得多。因此，IGBT 模塊的關(guān)斷能量和關(guān)斷時(shí)間都要低得多。