兩種不同的 DESAT 電路實(shí)現(xiàn)和“OC 作為 DESAT”電路實(shí)現(xiàn)與兩種不同的關(guān)斷方法搭配使用，以比較 IGBT 和 SiC 電源模塊的 SC 性能。

• 無外部充電方式的 DESAT 電路實(shí)現(xiàn)：
  • 充電電流：0.5mA（典型值）
  • DESAT 檢測閾值：9V
  • 將電容器更新為 50pF
  圖 7-4 無外部充電方式的 DESAT 實(shí)現(xiàn)
• 通過 OUTH 進(jìn)行外部充電的 DESAT 電路實(shí)現(xiàn)：
  • 充電電流：0.5mA +10mA（典型值）
  • DESAT 檢測閾值：9V
  • 將電容器更新為 50pF
  圖 7-5 含外部充電方式的 DESAT 實(shí)現(xiàn)
• 通過 OUTH 進(jìn)行外部充電的“OC 作為 DESAT”電路實(shí)現(xiàn)：
  • 充電電流：典型值小于 10mA
  • OC 檢測閾值：0.7V
  • 將電容器更新為 50pF
  圖 7-6 “OC 作為 DESAT”實(shí)現(xiàn)