ZHCAEV0 December   2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1

1.   1
2.   摘要
3.   商標(biāo)
4. 1 引言
5. 2 SiC 和 IGBT 特性
6. 3 失效模式
7. 4 短路保護(hù)方法
   1. 4.1 基于短路電流的保護(hù)實(shí)現(xiàn)方案
   2. 4.2 基于短路電壓的保護(hù)實(shí)現(xiàn)方案
8. 5 DESAT 電路設(shè)計(jì)
   1. 5.1 DESAT 電路元件選型
   2. 5.2 寄生元件的影響
   3. 5.3 Rlim 對 DESAT 噪聲的影響
9. 6 安全關(guān)斷
   1. 6.1 安全關(guān)斷機(jī)制
   2. 6.2 安全關(guān)斷注意事項(xiàng)
10. 7 短路測試設(shè)置和數(shù)據(jù)
    1. 7.1 短路工作臺測量設(shè)置
    2. 7.2 用于數(shù)據(jù)收集的 SC 板設(shè)置
    3. 7.3 用于 SC 測試的不同電路配置
    4. 7.4 工作臺測量結(jié)果
    5. 7.5 SiC 與 IGBT 電源模塊短路觀察的總體摘要
11. 8 設(shè)計(jì) SC 保護(hù)電路的關(guān)鍵注意事項(xiàng)
12. 9 總結(jié)
13. 10參考資料